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规格书 |
SP(I,P,B)70N10L |
文档 |
Multiple Devices 27/May/2008 |
Rohs | Contains lead / RoHS non-compliant |
标准包装 | 50 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 100V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 70A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 16 mOhm @ 50A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2V @ 2mA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 240nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 4540pF @ 25V |
功率 - 最大 | 250W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | P-TO220-3 |
包装材料 | Tube |
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